[8a-N302-1~11] 17.3 層状物質

9:15 〜 9:30

[8a-N302-2] 温度可変/多エネルギー光電子分光法による単層MoS₂/サファイア構造の結合・電子状態評価

〇長田 貴弘¹、佐久間 芳樹¹、小畠 雅明²、福田 竜生²、西村 知紀³、李 曙紅³、張 睿騰³、渥美 圭脩³、金橋 魁利³、長汐 晃輔³ (1.NIMS、2.原子力機構、3.東大院工)

キーワード：

硬X線光電子分光、表界面、二硫化モリブデン

MOCVD技術でサァイア基板上に直接成長した単層MoS₂で吸着成分やプロセス残渣が界面の結合、電子状態に及ぼす影響を検討した。温度可変のその場観察及び多エネルギー光電子分光法を用いてMoS₂/サファイア基板構造の結合・電子状態を評価した結果、温度上昇とともにMoS₂以外の成分の分解・脱離とフェルミ準位の変化が確認された。