講演情報
[8a-N302-5]反応性イオンエッチングのエッチングガスがMoS2膜に与える影響
〇小林 幸太郎1、松永 尚樹1、ジャン ジェイヒョ1、伊東 壮真1、寺岡 楓1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、辰巳 哲也2、若林 整2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、MoS2、プラズマ
トランジスタの微細化を実現するため、TMDCはその特性からシリコン代替材料として注目されており、特にMoS₂が代表例である。産業応用にはプロセスの安定化が不可欠だが、エッチング工程の理解は不十分である。そこで本研究では、チャネル材料にMoS2膜を用い、チャネルをO2プラズマおよびCl2プラズマによる RIE で形成した。チャネル中のMoS2膜の剥がれを評価し、歩留まりを算出した。