講演情報
[8a-N302-7]MoS2を用いた高性能センシング材料の合成及び評価
〇伊瀬 亘1、横倉 聖也1,2、和泉 廣樹1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
キーワード：
分子認識センサ、分子鋳型、遷移金属ダイカルコゲナイド
二次元（2D）半導体は、その優れた物理的・化学的特性により、次世代センサデバイスにおける機能性材料として高い関心を集めている。なかでも、代表的な遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）である二硫化モリブデン（MoS2）は、その高い比表面積、優れた電気伝導性、および表面反応性により、センシング応用において有望な候補材料と位置付けられる。本研究では、MoS2の特性を活かした高性能センシング材料に関する実験結果を報告する。