[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[8a-N322-1] 誘導ラマン散乱顕微法によるGaN自立基板中レーザー誘起歪みの高速三次元イメージング

〇若本 裕介¹、高橋 俊¹、田中 敦之²、前田 拓也¹、小関 泰之¹ (1.東大工、2.名大工)

キーワード：

ひずみ、ラマン、GaN

GaN自立基板のレーザースライス技術はデバイスの低コスト化に貢献する技術として期待されている．ラマン散乱測定は格子振動の周波数シフトから内部歪み応力を評価することが可能な手法である．しかし信号が非常に微弱であるため，イメージングには膨大な時間を要することが問題であった．本研究では，誘導ラマン散乱顕微法を用いてGaN自立基板へのレーザー照射により生じた内部歪み応力の高速三次元イメージングに成功した．