2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[8a-N322-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年9月8日(月) 9:30 〜 12:00
N322 (共通講義棟北)
9:30 〜 9:45

[8a-N322-1]誘導ラマン散乱顕微法によるGaN自立基板中レーザー誘起歪みの高速三次元イメージング

〇若本 裕介1、高橋 俊1、田中 敦之2、前田 拓也1、小関 泰之1 (1.東大工、2.名大工)
9:45 〜 10:00

[8a-N322-2]角度分解光電子分光によるGaN価電子帯バンド分裂と正孔有効質量の決定

〇棟方 晟啓1、有川 世修1、中河 義典2、小林 正起1 (1.東大院工、2.日亜化学)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[8a-N322-3]過渡容量分光法によるQuartz-free-HVPE成長高純度n型GaNのトラップ評価

〇平山 祐輔1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、金木 奨太3、藤倉 序章3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.住友化学)
10:15 〜 10:30

[8a-N322-4]GaOx界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響

〇坂居 瞭1、原 征大1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[8a-N322-5]GaN針接触型ショットキーバリアダイオードのI-V特性検討

〇安藤 陸1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、須田 順子4、前田 就彦4、三宅 秀人1,2 (1.三重大 院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.東京工科大学)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[8a-N322-6]ミストCVD法により堆積したAl2O3ゲート絶縁膜を有するAl2O3/n-GaN構造のMOS界面評価

〇Radzuan Hadirah1、越智 亮太2、中村 有水1、佐藤 威友2、谷田部 然治1 (1.熊本大、2.北大量集センター)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-N322-7]SiO2/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減

〇阪上 優一1、原 征大1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
11:30 〜 11:45

[8a-N322-8]高圧酸素熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減

〇原 征大1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
11:45 〜 12:00

[8a-N322-9]4インチ GaN 基板 上 の イオン注入 縦型 GaN プレーナゲート 型 MOSFET

〇菅沼 奈央1、上野 勝典1、田中 亮1、近藤 剣1、平井 悠久2、中島 昭2、原田 信介2、高島 信也1 (1.富士電機株式会社、2.産業技術総合研究所)
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