[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

[8a-N322-4] GaO_x界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響

〇坂居 瞭¹、原 征大¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

GaN、ショットキー接合、障壁高さ