講演情報

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[8a-N322-5]GaN針接触型ショットキーバリアダイオードのI-V特性検討

〇安藤陸¹、赤池良太^1,2、安永弘樹^2,3、中村孝夫^1,2、須田順子⁴、前田就彦⁴、三宅秀人^1,2 (1.三重大院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.東京工科大学)

ショットキーバリアダイオード