講演情報
[8a-N322-6]ミストCVD法により堆積したAl2O3ゲート絶縁膜を有するAl2O3/n-GaN構造のMOS界面評価
〇Radzuan Hadirah1、越智 亮太2、中村 有水1、佐藤 威友2、谷田部 然治1 (1.熊本大、2.北大量集センター)
キーワード：
ミストCVD、GaN、Al2O3
優れたGaN系MOSデバイスの実現には低界面準位密度、低リーク電流、高寿命や高安定動作が要求される。本研究ではn+-GaN基板上にエピタキシャル成長したn-GaN層上に低コストで酸化物薄膜が形成可能なミストCVD法により堆積したAl2O3ゲート絶縁膜を有するAl2O3/n-GaNキャパシタを作製しAl2O3堆積速度、界面特性の評価を行ったので報告する。