[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-N322-7] SiO₂/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減

〇阪上 優一¹、原 征大¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

GaN、MOS、正孔トラップ