[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[8a-N322-8] 高圧酸素熱処理によるSiO₂/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減

〇原 征大¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、MOS構造、正孔トラップ