[8a-N322-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00

[8a-N322-9] 4インチ GaN 基板 上 の イオン注入 縦型 GaN プレーナゲート 型 MOSFET

〇菅沼 奈央¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、近藤 剣¹、平井 悠久²、中島 昭²、原田 信介²、高島 信也¹ (1.富士電機株式会社、2.産業技術総合研究所)

キーワード：

半導体、窒化物半導体