[8a-N324-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:00 〜 9:15

[8a-N324-1] ミニマル反応性スパッタ装置によるTiO₂膜の形成

〇野田 周一¹、薮田 勇気²、山本 直子²、亀井 龍一郎²、三浦 典子¹、池田 伸一¹、原 史朗^1,3 (1.産総研、2.誠南工業、3.Hundred Semiconductors)

キーワード：

ミニマルファブ、TiO2、反応性スパッタ

ミニマルファブでは独自の反応性スパッタ装置を開発し、多種類の遷移金属窒化物薄膜（TiN、AlN、HfN_x）の形成を可能としてきた。今回は窒化物用に改良を進めてきた装置を用いて酸化物（TiO₂）薄膜の形成を行ったので、窒化物薄膜形成との比較も含め、その結果について述べる。