講演情報
[8a-N401-3]内殻軌道電子励起・原子移動によるGe,Siの結晶核形成
〇松尾 直人1、部家 彰1、住友 弘二1、山名 一成1、田部井 哲夫2 (1.兵庫県立大院、2.広島大半導体研)
キーワード：
ゲルマニウム、シリコン、結晶核、軟X線
高機能TFT、太陽電池を実現する為に、急速熱結晶化、エキシマ・レーザ等による結晶化が開発された。これらの方法は半導体/基板界面の温度を転移点に上昇させる為、基板を劣化させる。我々は界面温度を低下させる方法として軟X線照射によりGe, Siの内殻軌道励起・原子移動による結晶化方法(SXC)を提案した。