[8a-N401-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:15 〜 10:30

[8a-N401-4] 室温下でのGe/Si(111)基板上GeH薄膜の高速形成

〇中嶋 海都¹、中山 敦稀¹、Wen Wei-Chen²、山本 裕司²、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、中塚 理^1,3、洗平 昌晃^1,3、黒澤 昌志¹ (1.名大院工、2.IHP - Leibniz Institute for High Performance Microelectronics、3.名大未来研)

キーワード：

半導体、２次元材料