講演情報
[8a-N401-9]多結晶Mg2SiGeSn 薄膜の合成と熱電性能評価
〇(M1)中島 丈範1、石山 隆光1、前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院)
キーワード：
熱電変換、多結晶薄膜、結晶成長
狭ギャップ半導体であるMg2X（X = Si, Ge, Sn）は、室温下で比較的大きなゼーベック係数S を有する環境調和型熱電材料として古くから注目されてきたが、高い熱伝導率κが熱電特性向上のボトルネックであった。我々はこれまで多結晶混晶薄膜でκ を低減し、高い熱電特性を実証してきた。今回、ガラス基板上Mg2SiGeSn の薄膜合成と熱電特性実証、及びプラスチック基板上展開を目指し、研究を行った。