[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45

[8p-N105-1] AlO_x/SiCヘテロ接合における不揮発性抵抗変化メモリ特性と界面構造解析

〇鄭 雨萌¹、馬場 智大¹、木下 健太郎¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

抵抗変化メモリ、シリコンカーバイド、界面構造