[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00

[8p-N105-2] ミストCVD において高品質なAlOx 薄膜を350ºC で形成できる機構Ⅰ

〇川原村 敏幸¹、福江 雅¹、刘 丽¹、ダン タイ ジャン¹、藤村 俊伸² (1.高知工大、2.日油(株))

キーワード：

ミストCVD、酸化アルミウム、機構