[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[8p-N105-8] 極薄膜 W 添加 In₂O₃ 薄膜におけるキャリア輸送

〇山本 哲也¹、北見 尚久²、岡田 悠悟² (1.高知工科大総研、2.住友重機)

キーワード：

タングステン添加酸化インジウム、キャリ輸送、反応性プラズマ蒸着法

われわれは膜厚 2–50 nm W 添加 In₂O₃ 薄膜を反応性プラズマ蒸着法により室温成膜し,その後の熱アニールで得られる多結晶透明導電膜のキャリ輸送特性について議論している. キャリア電子の平均自由行程と膜厚とが同程度となる膜厚 10 nm 以下では膜厚減少と共にホール移動度の低下を原因とする電気抵抗率の増大が観察される. 本発表では構造と物性の解明と共に金属系とは異なる高い導電性をもたらす機構を理論付ける.