講演情報
[8p-N202-13]複屈折変調イメージング法によるμ-Transfer Printing集積 ニオブ酸リチウム薄膜の電気光学係数評価
〇村井 俊哉1、須波 圭史2、高 磊1 (1.産総研 光電融合センター、2.産総研 エレクトロニクス基盤技術研究部門)
キーワード：
ニオブ酸リチウム薄膜、マイクロトランスファープリンティング、電気光学効果
我々はこれまで,スタンプで薄膜を剥離,そのまま任意基板に転写するμトランスファープリンティング(μ-TP)を用いた,光回路上ニオブ酸リチウム薄膜(TFLN)集積技術を開発してきた。強誘電薄膜は,剥離時に基板から受ける歪みの緩和によるEO特性変化が懸念される。今回μ-TPでTFLNを転写,複屈折変調イメージング法により転写膜のEO係数を評価した。得られたEO係数約32pm/Vはバルクの値と概ね一致した。