講演情報
[8p-N202-6]テーパ構造による高位置ずれ耐性を有する化合物半導体と誘電体・Si 導波路直接接合
〇岡山 秀彰1、高橋 博之1、小野 英輝1、志村 大輔1、谷川 兼一1、鈴木 貴人1、古田 裕典1、西山 伸彦2 (1.沖電気、2.東京科学大)
キーワード：
異種材料接合、シリコン光導波路
III-V光素子とSi光導波路を直接貼り付けたうえで、これらの位置ずれ許容度に関して3 ミクロン以上を達成する方法を紹介する。テーパ導波路をベースとした構造を採用する。幅広いSi光導波路あるいは誘電体光導波路の上部に、テーパ構造のIII-V族のInP光導波路を貼り付けたものである。