講演情報
[8p-N301-15]歪補償AlGaN/InGaN ブラッグ反射鏡
〇川島 毅士1、上西 盛聖1、木村 千春1、佐藤 俊一1 (1.リコー)
キーワード：
GaN-VCSEL、DBR
成長時間の短いエピ成長DBRの実現を目的として、1µm/h以上の成長速度が可能なAlGaN、InGaN、GaNを用いた歪補償AlGaN/InGaN DBRを開発した。AlGaNとInGaNで歪を補償し、GaNで結晶品質を向上している。60.5周期のDBRをMOCVDで成長し、中心波長441.7nmで反射率が100%に近い反射率が得られた。成長条件を最適化し60.5周期を約5時間で成長している。