講演情報

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[8p-N302-13]ゲート変調PL法を用いた単層WSe₂におけるNbドーピング効果の考察

〇戸田颯天¹、金橋魁利¹、西村知紀¹、森戸智²、上野啓司²、長汐晃輔¹ (1.東大マテ工、2.埼玉大理工)

遷移金属ダイカルコゲナイド、フォトルミネッセンス、ドーピング

単層WSe₂はNb置換量に依存してフォトルミネッセンス(PL)スペクトルが変化する．本研究では，ゲート変調PL法をNbドープWSe₂に適用し，PLピークの起源解明を目的とした．