講演情報

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[8p-N302-14]間欠フラックス法を用いたWSe₂への高制御Nbポストドープ

〇田中一樹¹、西村知紀¹、金橋魁利¹、掛谷尚史²、麻生浩平²、大島義文²、長汐晃輔¹ (1.東大工、2.JAIST)

二次元材料、TMDC、ドーピング

次世代ロジック半導体材料として注目されるTMDC実用化のためにはコンタクト抵抗低減のために高濃度置換ドープが必要である．それにも関わらず，置換ドープに関する研究は限定的である．本研究ではWSe₂に対して制御性の高いNb置換を実現すべく，間欠フラックス法を用いたポストドープについて提案する．