講演情報
[8p-N302-2]ゲート誘起トポロジカル磁性相転移の観測
〇(DC)遠藤 幹大1、松岡 秀樹2,3、岩佐 義宏1,3、中野 匡規1,3,4 (1.東大院工、2.東大生研、3.理研CEMS、4.芝浦工大工)
キーワード：
トポロジカルホール効果、イオンゲート、ファンデルワールス磁性体
トポロジカル磁気構造の電気的な制御はスピントロニクス応用において重要な研究対象である。我々は最近層状強磁性体Cr3Te4薄膜が、熱処理により室温ゼロ磁場でトポロジカルホール効果 (THE) を示すことを見出した。今回我々はTHEを示すCr3Te4薄膜にLiインターカレーションを行った結果、THE相と強磁性相を完全にスイッチングできることを発見した。本講演ではその詳細と物理的起源を議論する。