[8p-N321-1~19] 6.2 カーボン系薄膜

17:45 〜 18:00

[8p-N321-16] ダイヤモンドへの高濃度Nイオン注入による低抵抗層形成

〇(M2)今村 海哉¹、関 裕平^1,2、星野 靖¹ (1.神奈川大理、2.北大院工)

キーワード：

イオン注入、Hall効果、ダイヤモンド半導体