講演情報

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[8p-N321-18]窒素ドープ層を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高耐圧化

〇(D)吉田稜^1,2、大井信敬¹、渡邉晃彦³、大村一郎³、植田研二²、川原田洋¹、藤嶌辰也¹ (1.Power Diamond Systems、2.早大、3.九工大)

ダイヤモンド、半導体

窒素ドープダイヤモンド薄膜の耐圧特性について報告する。窒素濃度によって耐圧特性の向上が確認された。これらはダイヤモンド縦型デバイスの高耐圧化に有用と考える。