講演情報
[8p-N321-18]窒素ドープ層を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高耐圧化
〇(D)吉田 稜1,2、大井 信敬1、渡邉 晃彦3、大村 一郎3、植田 研二2、川原田 洋1、藤嶌 辰也1 (1.Power Diamond Systems、2.早大、3.九工大)
キーワード:
ダイヤモンド、半導体
窒素ドープダイヤモンド薄膜の耐圧特性について報告する。窒素濃度によって耐圧特性の向上が確認された。これらはダイヤモンド縦型デバイスの高耐圧化に有用と考える。
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