[8p-N322-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00

[8p-N322-11] N極GaN HEMTにおけるドレイン電流変動に対する影響

〇矢板 潤也¹、吉田 成輝¹、早坂 明泰¹、向井 章¹、今関 祐貴¹、小谷 淳二¹、牧山 剛三¹、中田 健¹ (1.住友電工)

キーワード：

窒化物半導体