講演情報
[8p-N322-12]ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEGのShubnikov-de Haas振動
〇若本 裕介1、久保田 航瑛1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、小林 篤3、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社、3.東京理科大学)
キーワード：
ScAlN、シュブニコフドハース、磁気輸送
ScAlNは大きな自発分極を有し，GaNとの格子不整合率が小さいため，GaNとの界面に誘起される二次元電子ガス(2DEG)の密度を増大させることができ，GaN HEMTの新規バリア層材料として期待されている．本研究では，AlGaN/AlN/GaN上にScAlNをスパッタ成長させたヘテロ構造に対し低温強磁場測定によるShubnikov-de Haas振動の観測に成功し，2DEG輸送解析を行った．