講演情報
[8p-N322-13]PA-MBE成長ScAlN/GaNへテロ接合における二次元電子ガスの輸送特性
〇久保田 航瑛1、若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電工)
キーワード：
窒化スカンジウムアルミニウム、分子線エピタキシー、移動度
MBE法を用いてScAlN/GaNへテロ接合を成長させ、その2DEG輸送特性を調べた。ホール効果測定より、分極の理論値から予想されるシートキャリア密度に一致する値が得られた。移動度の温度依存性を、IR散乱・POP散乱・ADP散乱を考慮して解析を行った。解析に用いる有効質量は、シートキャリア密度が高いことによる伝導帯の非放物線性を考慮し0.24m0とした。その結果、実験値を再現する計算値が得られた。