講演情報
[8p-N322-14]GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜の電気的特性
〇城谷 光亮1、佐藤 早和紀2、小林 篤2、前田 拓也1 (1.東大工、2.東京理科大)
キーワード：
ScAlN、強誘電性
ScAlNは，大きなバンドギャップ，強い自発分極や圧電係数，強誘電性などの物性を持ち，窒化物半導体デバイスとの融合による新機能の発現が期待されている．近年，金属/ScAlN/n+-GaN構造でScAlNの強誘電性が報告されているが，そのリーク電流は大きく，強誘電特性は非対称であり理解が不十分なため，本研究では，GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜の電気的特性を詳細に調べた．