講演情報
[8p-N322-17]InAlGaN HEMTにおけるゲートリーク電流に対するInの影響
〇山田 敦史1、多木 俊裕1 (1.富士通)
キーワード：
窒化物半導体、高電子移動度トランジスタ、InAlGaN
InAlGaN HEMTにおけるゲートリーク電流に対するInの影響を評価した。ゲートリーク電流は二次元電子ガス濃度に依存し、In組成の有無による顕著な差は見られなかった。一般的にInAlGaN層では下地層に比べ貫通転位密度が増加すると考えられるため、貫通転位を終端可能なAlNスペーサ層およびアモルファスAlNキャップ層の導入を行った。その結果、貫通転位終端構造がゲートリーク電流低減に有効であることが示唆された。