講演情報
[8p-N322-3]I-V, C-V測定から求めたAlNショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性
〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、熊倉 ⼀英2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性研)
キーワード：
AlN、障壁高さ、ショットキー
AlNは非常に大きいバンドギャップ(~6.0 eV)と高い絶縁破壊電界(>10 MV/cm)により、高耐圧で高温動作可能な電子デバイス材料として期待されている。本研究では、AlN基板上AlN SBDのうち、ほぼ理想的な特性を示す素子について、その容量-電圧(C-V)特性、電流-電圧(I-V)特性の温度依存性を測定・解析し、障壁高さの温度依存性を調べたので報告する。