[8p-N322-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:45 〜 15:00

[8p-N322-4] GaN HEMTの低周波Y₂₁とY₂₂信号に対する実験とデバイスシミュレーション結果の比較

〇大石 敏之¹、高田 栞¹、久樂 顕²、山口 裕太郎²、新庄 真太郎²、山中 宏治² (1.佐賀大、2.三菱電機)

キーワード：

GaN、トラップ、低周波Yパラメータ