講演情報
[8p-N322-6]GaN Polarization Superjunction FETの電荷バランス評価に向けたC-V特性によるエッチング後u-GaN表面伝導層の評価
〇(D)小久保 瑛斗1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)
キーワード：
窒化ガリウム、分極超接合構造
高耐圧GaN分極超接合(PSJ)FETの実現に向け，C-V特性による表面伝導層の評価を行った．PSJ長の異なる素子を作製しゲート-ドレイン間容量を測定した結果，2段階のC-V特性が得られた．シミュレーションとの比較から，低バイアス側の閾値はエッチングに起因するn型表面伝導層に依存することが判明した．これにより，C-V測定が表面伝導層の電荷量を非破壊かつ簡便に評価する有効な手法であることが示された．