[8p-N322-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45

[8p-N322-7] 高濃度Mg添加AlN層の高温下での電気特性評価

〇(M2)宮沢 風我¹、奥村 宏典¹、井村 将隆² (1.筑波大数理、2.物材研)

キーワード：

半導体、窒化アルミニウム