[8p-N322-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:00 〜 16:15

[8p-N322-8] サファイア基板上N極y製GaN HEMTにおけるゲートリークの抑制

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、佐々木 太郎¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：

N極性GaN HEMT、ゲートリーク