[8p-N324-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

16:45 〜 17:00

[8p-N324-13] SOI MEMS共振器におけるピエゾ抵抗振動検出部の雑音特性

〇竹内 遼太郎¹、張 亜¹、劉 千¹、平川 一彦¹、諸橋 功² (1.農工大工、2.情報通信研究機構)

キーワード：

MEMS、ピエゾ抵抗効果、THz電磁波