講演情報
[8p-N324-4]多結晶Ge TFTにおける粒界に沿ったキャリア伝導の考察
〇黄 林yu1、居倉 功汰2、都甲 薫2、王 冬1、山本 圭介1,3 (1.九州大学、2.筑波大学、3.熊本大学)
キーワード：
多結晶ゲルマニウム、薄膜トランジスタ、キャリア伝導
本研究では、固相生长の多結晶Geを用いたn-TFTにおいて、チャネル形状と幅が特性に与える影響を検討した。長方形とダンベル型チャネルを比較した結果、ダンベル型はOFF電流が低減し、ON/OFF比が向上した。また、チャネル幅とOFF電流の関係から、粒界に沿った電流成分が支配的であると仮定し、移動度を約20 cm²/Vsと推定した。本手法により、粒界の影響を解析可能であることを示した。