講演情報
[8p-N324-6]ALD成長Al2O3薄膜層を用いた半導体基板の表面活性化接合
〇齊藤 圭胡1、菊池 隆雅1、鈴木 淳一1、青山 怜央1、川鍋 凛1、丸山 佳己1、藤原 柊人1、河野 泰征1、赤羽 浩一2、井上 泰志1、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
キーワード：
表面活性化接合
本研究ではp-Si/p-Si接合にAl2O3を中間層として導入した際の電気特性について調査した。オーミック電極を備えたp-Si基板にAl2O3をALDで成膜し接合実験を行った。実験結果からAl2O3を導入しアニールしたことでp-Si/p-Siサンプルに比べて接合抵抗は小さくなった。