[8p-N324-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:45 〜 16:00

[8p-N324-9] Explosive Crystallization からのCLC Grain-Boundary-Free Si成長

〇佐々木 伸夫^1,2、高山 智之²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：

cwレーザ結晶化(CLC)、explosive crystallization

(100)配向のGrain-boundary-freeな単結晶膜の結晶成長がCWレーザのアモルファスSi結晶化（CLC)で可能である。この結晶成長は、Explosive Crystallization と走査レーザによる結晶化の二段階で行われることを示す。CLCはSOI構造を安価に造ることができるので、モノリシックな3D-chipへの応用が期待される。