2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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14:00 〜 14:15
[8p-N401-1]
スパッタリング法によるSi(111)基板上高品質エピタキシャルGe層形成
〇奥田 太一
1
、大田 晃生
2
、横川 凌
3,4
、黒澤 昌志
1
、坂下 満男
1
、中塚 理
1,5
、柴山 茂久
1
(1.名大院工、2.福岡大理、3.広大RISE、4.広大院先進理工、5.名大未来研)
キーワード:
ゲルマニウム、スパッタリング法
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