[8p-N401-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

16:15 〜 16:30

[8p-N401-10] Si_1−yGe_yバッファ層を用いたSi_1−xSn_xエピタキシャル薄膜の成長と歪み制御

〇伊藤 創生¹、黒澤 昌志¹、Wei-Chen Wen²、山本 裕司²、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、中塚 理^1,3 (1.名大院工、2.IHP – Leibniz Institute for High Performance Microelectronics、3.名大未来研)

キーワード：

シリコンスズ、SiSn、歪み制御