2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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14:15 〜 14:30
[8p-N401-2]
スパッタリング法によるSi(001)基板上への高Sn組成Ge
1−
x
Sn
x
層のヘテロエピタキシャル成長
〇後藤 幸作
1
、柴山 茂久
1
、坂下 満男
1
、黒澤 昌志
1
、中塚 理
1,2
(1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード:
半導体
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