講演情報
[8p-N401-7]SiGe/Si(110)構造におけるSiGe薄膜の臨界膜厚評価方法の検討
〇臼田 宏治1、伊波 希宇2,4、熊谷 直人2,3、入沢 寿史2,3、小椋 厚志1,4 (1.明治大MREL、2.産総研SFRC、3.LSTC、4.明治大理工)
キーワード：
SiGe、Si(110)、臨界膜厚
次世代NS-FETではpMOS特性向上が見込める（110）の利用が期待される。しかしながら結晶工学的に非対称な（110）は、NSチャネル実現に必要なSiGe層とSi層の積層エピ成長の技術的飛躍が大きく、特にSi（100）上に無欠陥SiGe層を形成する条件、即ち臨界膜厚制限が（100）より厳しいと予想される。そこで本稿では、SiGe/Si（110）におけるSiGe層の臨界膜厚を検討したので報告する。