講演情報

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-N401-8]化学気相成長法によるSi (110)オフ角度基板上SiGe薄膜成長の異方性評価

〇(M1)伊波希宇^1,2、臼田宏治³、熊谷直人^1,4、入沢寿史^1,4、小椋厚志^2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)

SiGe、(110)、ラマン分光法

Si (110)上SiGe成長において、基板オフ方向およびオフ角度がSiGe薄膜の表面構造に与える影響を検討した。結果、オフ基板における結晶成長後の表面構造は傾斜方向によって大きく異なることが確認された。また、基板傾斜は成膜後の格子応力に大きな影響を与えることが示された。