[8p-N403-1~15] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4イオンビーム一般のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45

[8p-N403-5] イオンビーム誘起CVD法の酸化ゲルマニウム、酸化錫、酸化ケイ素、炭化ケイ素の成膜への応用

〇吉村 智¹ (1.阪大工)

キーワード：

炭化ケイ素、酸化ゲルマニウム、酸化錫

イオンビーム誘起CVD法で、酸化ゲルマニウム、酸化錫、酸化ケイ素、炭化ケイ素の成膜を試みた結果を報告する。例えば、酸化ゲルマニウムの成膜は以下の手順で行った。ヘキサメチルジゲルマンを気化し、これを0.7 sccmの流量で基板に吹き付けた。そこに酸素イオンビームを照射したところ、基板上に膜ができていることを確認した。膜をXPS、FTIR、XRRで分析した結果、酸化ゲルマニウムであることを確認した。