[8p-N404-1~16] 11.1 基礎物性

15:30 〜 15:45

[8p-N404-8] 2枚層ニッケル酸化物La_3-xPr_xNi₂O_7-δ薄膜における
電子状態のエピタキシャル歪み依存性

〇森田 航太¹、岡部 博孝²、中村 惇平²、桑原 英樹¹、門野 良典²、足立 匡¹ (1.上智大理工、2.KEK物構研)

キーワード：

二枚層ニッケル酸化物、歪み効果、パルスレーザー堆積

~2 %のab面内圧縮歪みで超伝導を示すLa_3-xPr_xNi₂O_7-δの歪みと物性の関係を調べるため、パルスレーザー堆積法を用いてLa_3-xPr_xNi₂O_7-δ (x = 0)の薄膜をLAO (約1.2 %の圧縮歪み), LSAT (約1 %の伸張歪み)基板上に作製した。電気抵抗率の測定から、LSAT上(伸張歪み)で半導体的な振る舞いであったが、LAO上 (圧縮歪み)では金属的であった。すなわち、基板からのab面内圧縮歪みが電気伝導性の向上に寄与していると考えられ、圧縮歪みがバルクの静水圧と同等の役割を担っている可能性がある。