[8p-P03-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[8p-P03-1] SiN_x膜とSiO_x膜中の水素ボンドの切断エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

窒化シリコン、水素拡散、分子軌道計算

分子軌道計算を用いて、空孔を有するSiN_xおよびSiO_x膜中のSi-H、N-H、O-H結合を切断して水素が移動するために必要なエネルギー障壁を解析し、それらが水素拡散に与える影響を明らかにしました。