[8p-P03-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[8p-P03-2] Si MOS キャパシタにおける伝導帯端近傍の界面準位密度分布が C-V 特性に与える影響

〇松原 滉英¹、加藤 匠馬¹、鈴木 陽向¹、牧原 克典²、一野 祐亮¹、清家 善之¹、森 竜雄¹、田岡 紀之¹ (1.愛知工大、2.名大院工)

キーワード：

極低温、界面準位、量子コンピュータ