[8p-P03-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[8p-P03-3] Si基板上に後酸化によって形成したHf酸化膜の電気的特性

〇茅木 陸¹、酒向 希斗¹、高須 直也¹、牧原 克典²、一野 祐亮¹、清家 義之¹、森 竜雄¹、田岡 紀之¹ (1.愛知工大、2.名大院工)

キーワード：

Hf酸化物、MOS